二硫化鉬 CVD薄膜

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                    六碳科技目前為全世界唯一可批量化制造高質量單層MoS2薄膜的廠商。

                    目前最大尺寸4英寸圓片,更大尺寸(8,12英寸)即將面市。


                    基本性質:

                    無摻雜二硫化鉬是層狀N型半導體,屬于過渡金屬二硫族化合物,塊狀能帶間隙為1.23eV (間接帶隙),單層MoS2帶隙~1.85eV(直接帶隙)。

                    制造方法:

                    化學氣相沉積法, Chemical Vapor Deposition (CVD)

                    產品簡介:

                    六碳科技的MoS2薄膜分為多種:
                    1) 單層離散分布的三角狀單晶晶粒,三角邊長一般是幾十至一百微米。
                    2) 由三角晶粒繼續長大連在一起的單層連續薄膜。
                    3) 多層MoS2 連續薄膜。
                    4) 基底:MoS2可選基底較多,其中最常用的硅片基底、帶氧化層硅片基底和藍寶石基底為直接沉積產品。其他基底例如PET,PI,ITO,FTO,玻璃,金屬基底等是通過在藍寶石上生長后轉移至客戶所需基底。

                    應用領域:

                    光電器件,微電子器件,生物傳感,化學傳感等領域。

                    包裝及規格

                    10*10mm,15*15mm,20*20mm,2英寸圓片,4英寸圓片 或客戶指定的定制尺寸。
                    凈化抽真空包裝, 1片/盒,5片/盒。10片/盒。

                    典型客戶包括:

                    MIT、加州理工、斯坦福大學;
                    牛津大學、曼徹斯特大學;
                    首爾大學、韓國科學技術院(KAIST)、成均館大學;
                    東京工業大學、村田制作所
                    清華大學、北京大學、中科院半導體所
                    等世界一流研究機構。


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                    單層MoS2孤立晶粒

                    單層MoS2連續膜

                    AFM data of MoS2

                    Raman shift of MoS2

                    二氧化硅/硅基底二硫化鉬薄膜

                    石英基底二硫化鉬薄膜

                    藍寶石基底二硫化鉬薄膜

                    參考文獻:

                    1)Gao, Min-Rui, Jin-Xia Liang, Ya-Rong Zheng, Yun-Fei Xu, Jun Jiang, Qiang Gao, Jun Li, and Shu-Hong Yu. "An efficient molybdenum disulfide/cobalt diselenide hybrid catalyst for electrochemical hydrogen generation." Nature communications 6 (2015): 5982.
                    https://www.nature.com/articles/ncomms6982
                    2) Radisavljevic, Branimir, Aleksandra Radenovic, Jacopo Brivio, I. V. Giacometti, and A. Kis. "Single-layer MoS 2 transistors."?Nature nanotechnology?6, no. 3 (2011): 147.
                    https://www.nature.com/articles/nnano.2010.279
                    3) Wang, Qing Hua, Kourosh Kalantar-Zadeh, Andras Kis, Jonathan N. Coleman, and Michael S. Strano. "Electronics and optoelectronics of two-dimensional transition metal dichalcogenides." Nature nanotechnology 7, no. 11 (2012): 699.
                    https://www.nature.com/articles/nnano.2012.193
                    4)顧品超, 張楷亮, 馮玉林, 王芳, 苗銀萍, 韓葉梅, and 張韓霞. "層狀二硫化鉬研究進展."?物理學報?65, no. 1 (2016): 18102-018102.
                    http://wulixb.iphy.ac.cn/fileup/PDF/2016-1-018102.pdf

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