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硅片鍍膜加工
鍍膜金屬種類: Ti,Cr,Cu,Au,Ag,Pt,Hf,Zr,Ta,W,Sn,Mn,Fe,V,Al,
厚度: 1~200nm
基底規格: 硅片規格:4英寸,單面拋光,雙面氧化或者無氧化層純硅片 ,(100)晶向, N或者P型,電阻率小于0.1 ohm*cm-1
制作流程: 清洗->電子束蒸發金屬層或者磁控濺射鍍膜->檢驗->包裝。
包裝規格: 每片4英寸獨立包裝。
特殊定制: 發送需求示意圖和需求數量至sales@6carbon.com,評估成本和難度后進行報價。
機械剝離用鍍金硅片
鍍膜材料: 2nmTi+2nmAu
硅片規格: 4英寸,單面拋光,雙面氧化 , (100)晶向, 高導電N或者P型可選,電阻率小于0.1 ohm*cm-1。
制作流程: 清洗>電子束蒸發 2nmTi+1nmAu金屬層->檢驗->包裝。
包裝規格: 每片4英寸獨立包裝。
特殊定制: 發送需求示意圖和需求數量至sales@6carbon.com,評估成本和難度后進行報價。
預沉淀不等距電極硅片
電極規格: 以10*10mm為基本單元,每個單元里標記100個數字,數字間隔900um,數字尺寸50um*50um,線寬10um。
電極材料: 5nm Cr+50nm Au金屬。
硅片規格: 4英寸,單面拋光,雙面氧化 , (100)晶向, 高導電N或者P型可選,電阻率小于0.1 ohm*cm-1。
制作流程: 涂膠->曝光->顯影->電子束蒸發金屬層->去膠清洗->檢驗->包裝。
包裝規格: 每片4英寸獨立包裝。
特殊定制: 發送需求示意圖和需求數量至sales@6carbon.com,評估成本和難度后進行報價。
數字標記硅片
數字規格: 以10*10mm為基本單元,每個單元里標記100個數字,數字間隔900um,數字尺寸50um*50um,線寬10um。
標記材料: 30nm Cr金屬。
硅片規格: 4英寸,單面拋光,雙面氧化 , (100)晶向, 高導電N或者P型可選,電阻率小于0.1 ohm*cm-1。
制作流程: 涂膠->曝光->顯影->電子束蒸發金屬層->去膠清洗->檢驗->包裝。
包裝規格: 每片4英寸獨立包裝。
特殊定制: 發送需求示意圖和需求數量至sales@6carbon.com,評估成本和難度后進行報價。